半导体光刻胶/LCD 光刻胶/PCB 光刻胶-齐岳厂家

产品名称：半导体光刻胶/LCD 光刻胶/PCB 光刻胶-齐岳厂家

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半导体光刻胶/LCD 光刻胶/PCB 光刻胶-齐岳厂家 ? 光刻是将电路图形由掩膜版转移到硅片上，为后续刻蚀工艺做准备的过程。光刻是 IC 制造过程中耗时较长、 难度较大的工艺之一，耗时占 IC 制造 50%，成本占 IC 制造 1/3。在一次芯片制造中，往往要对硅片进行上十次 光刻，其主要流程为清洗、涂胶、前烘、对准、曝光、后烘、显影、刻蚀、光刻胶剥离、离子注入等。在光刻 过程中，需在硅片上涂一层光刻胶，经紫外线曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，通过显影后，被曝光的光刻胶将被，电路图形由掩膜版转移到光刻胶上，再经过刻蚀工艺，实现电路图形由光刻胶转移到硅片上。 ? 光刻胶是光刻工艺较重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是壁垒高，，难以保存。 光刻过程示意图 ? 光刻胶是光刻工艺较重要的耗材，光刻胶的质量对光刻精度至关重要。光刻胶是指通过紫外光、准分子激 光、电子束、离子束、X 射线等光源的照射或辐射，其溶解度发生变化的刻材料。由于光刻胶具有光化学 敏感性和防腐蚀的保护作用，因此经过曝光、显影、刻蚀等工艺，可以将微细电路图形从掩膜版转移到硅片。虽然光刻胶制造成本低，但是壁垒高，，难以保存。 光刻过程示意图 ? 光刻胶的主要成分有光刻胶树脂、感光剂、溶剂和添加剂。光刻胶树脂是一种惰性的聚合物基质，是用来 将其它材料聚合在一起的粘合剂；光刻胶的粘附性、胶膜厚度等性质都是由树脂决定的。感光剂是光刻胶的核 心部分，它对光形式的辐射能，是在紫外区光的辐射能会发生反应；曝光时间、光源所发射光线的强度都 和感光剂的性质直接相关。溶剂是光刻胶中容量较大的成分；因为感光剂和添加剂都是固态物质，为了将他们 均匀地涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质，且使之具有的流动性，可以通过旋转方式涂布 在晶圆表面。添加剂可以用以改变光刻胶的某些性质，如可以通过添加染色剂来光刻胶，使其发生反射。 光刻胶的品种多种多样，基于感光树脂的化学结构，按可分为光聚合型、光分解型、光交联型三种。另外，正性和负性光刻胶是光刻胶的两个重要品类，光照后形成可溶物质的为正性胶，形成不可溶物质的为负 性胶。由于性能较优，正性光刻胶应用更广，但由于光刻胶需求量大，负性胶仍有的应用市场。 产品供应： 产品 型号 光源 类型 分辨率 厚度（um) 适用范围 厚胶 Thick Resist SU-8 GM10xx系列 g/h/i-Line 负性 0.1um 0.1-200 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度。 SU-8 Microchem g/h/i-Line 负性 0.5um 0.5-650 具有较大的高宽比，透明度高，垂直度。 ? g/h/i-Line 正性 1um 1—30 可用于选择性电镀电镀，深硅刻蚀等工艺。 NR26-25000P g/h/i-Line 负性 ? 20-130 厚度大，相对容易去胶。 电子束光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度（um) 适用范围 SU-8 GM1010 电子束 负性 100nm 0.1-0.2 可用于做高宽比较大的纳米结构。 HSQ 电子束 负性 6nm 30nm~180nm 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 XR-1541-002/004/006 HSQ Fox-15/16 电子束 负性 100nm 350nm~810nm 分辨率较好的光刻胶，抗刻蚀。 PMMA(国产) 电子束 正性 \ \ 高分辨率，适用于电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 PMMA（） 电子束 正性 \ \ MicroChem，分子量，适用于电子束光刻工艺，较常用的电子束光刻正胶。 薄胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度（um) 适用范围 S18xx系列 g-Line 正性 0.5um 0.4-3.5 较常用的薄光刻胶，分辨率高，稳定。 SPR955系列 i-Line 正性 0.35um 0.7-1.6 高分辨率（0.35um）光刻胶，稳定。 BCI-3511 i-Line 正性 0.35um 0.5-2 国产0.35um光刻胶，已经在量产单位规模使用。 NRD6015 248nm 负性 0.2um 0.7-1.3 国产深紫外光刻胶，已经在量产单位规模使用。 Lift off光刻胶 型号 光源 类型 分辨率 厚度（μm) 适用范围 KXN5735-LO g/h/i-Line 负性 4μm 2.2-5.2 负性光刻胶;倒角65-80°，使用普通正胶显影液显影。 LOL2000/3000 g/h/i-Line / NA 130nm-300nm 非感光性树脂，可以被显影液溶解，作为lift off双层胶工艺中底层胶使用。 ROL-7133 g/h/i-Line / 4um 2.8-4 负性光刻胶，倒角75~80°，使用普通正胶显影液。 光刻胶配套试剂 品名 主要成分 包装 应用 / / 正胶显影液 TMAH 2.38% 4LR/PC 正胶显影液 / / 正胶稀释剂 PGMEA 4LR/PC 稀释剂 / / SU8 显影液 PGMEA 4L/PC 显影SU8光刻胶 / / RD-HMDS HMDS 500ml/PC 增粘剂 / / OMNICOAT 见MSDS 500ml/PC SU-8增粘剂 / / 上述产品可定制，齐岳生物均可供应！ wyf 01.25 相关目录： 常用光交联型光刻胶/光聚合型/光分解型 适用范围较广的正性/负性电子束光刻胶

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西安齐岳生物科技有限公司是集化学科研和定制与一体的高科技化学公司。业务范围包括化学试剂和产品的研发、生产、销售等。涉及产品为通用试剂的分销、非通用试剂的定制与研发，涵盖生物科技、化学品、中间体和化工材料等领域。
主营产品：COF、MOF单体系列：三蝶烯衍生物、金刚烷衍生物、四苯甲烷衍生物、peg、上转换、石墨烯、光电材料、点击化学、凝集素、载玻片、蛋白质交联剂、脂质体、蛋白、多肽、氨基酸、糖化学等。