溶胶凝胶法制备Sm掺杂铁酸铋（001）外延薄膜介绍

产品名称：溶胶凝胶法制备Sm掺杂铁酸铋（001）外延薄膜介绍

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溶胶凝胶法制备Sm掺杂铁酸铋(001)外延薄膜介绍 西安齐岳生物科技有限公司提供或者国产的薄膜，尺寸可定制；基底以及外延的薄膜；品质高。同时提供二维材料；石墨烯、氮化硼、二硫化钼、CVD生长的薄膜、晶体、异质结、薄膜（蓝宝石、PET、铜膜、石英、云母、银膜、SOI基底、Si玻璃基底）等材料。 溶胶凝胶法制备Sm掺杂铁酸铋(001)外延薄膜 由于通过掺杂能取得较高的压电性能，室温多铁材料铁酸铋BiFeO3近来被越来越多作为有潜力的无铅压电材料而被应用。通过溶胶凝胶法在（001）单晶掺铌钛酸锶SrTiO3衬底上制备了掺杂12%Sm的BiFeO3外延薄膜。通过倒易空间图和透射电镜确认了外延性。透射电镜也确认了R3c和Pbam相在该薄膜中的共存。通过压电力显微镜测试了薄膜从室温到200℃的畴结构和压电响应的变化。在110℃到170℃，畴变得活跃，畴结构发生改变。 ? 利用脉冲激光沉积(PLD)方法在LaAlO3单晶衬底上外延生长BiFeO3，得到了菱方四方的(R-T)MPB。用压电响应力显微镜(PFM)观察到，由于四方相和菱方相的共存，材料的压电响应有了的。类似地，Takeuchi等人在BiFeO3的A位引入了Sm、Gd和Dy等镧系元素，从而发现了一个菱方正交的(R-O)MPB。假设随着掺杂量的增加，稀土元素半径变小将导致压电反铁电顺电相变。MPB位于反铁电-顺电相界面。 这些工作也是基于利用PLD制备的外延薄膜和人们对稀土掺杂的BFO的兴趣中激发而来的。硅衬底上多晶薄膜和掺钐的BFO块体陶瓷的压电响应也得到了。然而，至今还没有直接观察到这些材料的反铁电行为。 ? 在研究中，作者们制备了12%Sm掺杂的BiFeO3外延薄膜。采用溶胶-凝胶法在掺铌的SrTiO3(001)衬底上制备薄膜。该成分对应于室温下相结构的MPB，预计在高温下会发生变化。为了研究该材料的性能，在室温至200℃范围内观察到铁电畴，用PFM方法局部表征了铁电畴随温度的变化。除了对相位结构的观察外，还利用switching spectroscopy PFM(ss-pfm)研究了温度在纳米尺度下对压电响应的影响。SS-PFM显示了铁电向反铁电相的相变。另外，在相边界处发现了的压电响应。 图1(a)显示了样品的表面形貌，发现的晶界。图1(b)显示了12%Sm掺杂BiFeO3薄膜的XRD图谱。薄膜和衬底的(001)衍射峰清晰可见，其它衍射峰在对数坐标下几乎看不到。用同步辐射X射线进一步进行了RSM。HL空间中的(002)模式和HK空间中的(113)模式分别如图1(c)和(d)所示。XRD和RSM分析表明薄膜具有的外延性能。从RSM谱图出发，计算了12%Sm掺杂BiFeO3样品的晶格参数：apc?= bpc=3.906?, cpc=3.958?。由于其外延性质，a和b值与衬底SrTiO3(3.905?)接近。在外延BiFeO3薄膜中，(113)模式沿面内(IP)方向的色散表明晶格有程度的松弛，这在外延BiFeO3薄膜中是常见的现象。随着薄膜厚度的增加，晶格失配引起的压缩应力逐渐减弱。由于夹持效应，掺杂样品的c值比衬底大得多，而Sm3+相对于Bi3+的半径较小，则比BiFeO3薄膜的c值小得多。 ? 高分辨透射电镜在薄膜-基底界面上对样品的横截面进行了成像，并显示了其外延结构，如图2(a)所示。图2(b)示出了样品的横截面图像。从这幅图像中可以确定薄膜厚度约为140nm，样品内部没有检测到晶界。图2(c)-(e)示出了在图2(b)所示的某些区域上进行的SAED结果。清晰的衍射图了薄膜的外延性。衬底Nb：SrTiO3表现出的立方相，如图2(c)所示。有趣的是，在薄膜中发现了两种衍射模式。蓝色表示的区域具有R3c对称性，与BiFeO3相同。用红色表示的区域显示了1/4(011)和1/2(011)点，表明从R3c到类似PbO3相的晶格畸变，Sm或其他稀土掺杂的BiFeO3体系中也观察到了这种模式。这两个相的共存表明它们在这种成分中是稳定的，并且可以很容易地相互转换。值得一提的是，我们同时制备了14%Sm的掺杂薄膜，并且具有较高的分辨率。 ? 西安齐岳生物提供的其他定制薄膜有哪些？ 硅片上的金刚石氮化铝薄膜 Si上镀Al薄膜（Aluminum?Film?on?Silicon?Wafer） Si-Al复合薄膜 Si片外延AIN薄膜?(Si+AlN dia4")： Si衬底上AlN外延薄膜 Si+SiO2+Cr+Au薄膜： (Au,Si)/SiO2复合纳米颗粒薄膜 Si/SiO2/Cr/Au复合薄膜 AL2O3+Al(0.1)Ga(0.9)N 薄膜 Al2O3+Al0.1GaN0.9薄膜N型不掺杂 Nb：SrTiO3+Ba1-xSrxTiO3薄膜 Ba1-xTiO3型薄膜? 400nm 掺铌SrTiO3基片 400nm单面抛光薄膜 Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 Nb: SrTiO3+BiFeO3薄膜 10x10 x 0.5 mm SrTiO3衬底上BiFeO3薄膜 Nb∶SrTiO3单晶基片上外延生长BaTiO3薄膜 Fe3O4/BiFeO3复合薄膜 Si+SiO2+Ta+Cu薄膜 Si/SiO2/Ta/Cu薄膜 Cu/Ta/SiO2/Si薄膜 Si衬底上Ta-N/Cu薄膜 Si+SiO2+Ti+Au薄膜 Si/SiO2/Cr/Au/Ti 衬底薄膜 镀金硅片镀铂硅片ptPt/Ti/SiO2/Si Si+GaN薄膜： 别称：Si 晶圆外延 Gan 薄膜 (si + Gan 薄膜) Si衬底上GaN薄膜 Si基GaN薄膜 Si+Cu薄膜: 多孔Si/Cu复合薄膜 Si上镀Cu薄膜 Si基上电沉积Cu薄膜 YSZ+CeO2薄膜 30-50nm CeO2/YSZ复合薄膜 30-50nm CeO2/YSZ薄膜 Si+BN薄膜 Si/BN硅基氮化硼薄膜 单层氮化硼薄膜Si基底 CAS号7440-42-8 Si掺杂的c-BN薄膜 Si上的Cu外延膜 SiBN复合薄膜 FTO膜 Glass+FTO薄膜 玻璃板上涂氟氧化锡（FTO） 锗(GOI)薄膜 体上锗(GOI)薄膜 薄Si过渡层制备体上Ge(GOI)材料 GaAs+AlGaAs+GaAs薄膜 GaAs （半）（100）晶向基片上的GaAs GaAs / AlGaAs薄膜 GaAs/AlGaAs/GaAs薄膜 GaAs/AIGaAs压阻薄膜 GaN系列薄膜 氮化镓GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍(Ni)薄膜 GaN 薄膜基片 GaN外延薄膜 Ga2O3-?膜 AL2O3+Ga2O3-?薄膜 Ga2O3-?晶体 2英寸?- Ga2O3单晶衬底 Ga2O3-Al膜 Si上镀Ge薄膜0.5-2um 生长Si—Ge薄膜10x10mm Si基改性Ge薄膜 硅基底石墨烯膜1cm*1cm 硅基底石墨烯膜5cm*5cm 双层石墨烯膜2cm*2cm 康宁7980玻璃上镀ITO膜10x10x0.7mm 康宁7980上镀ito膜(ito film on corning 7980) InP上镀InAlAs薄膜? 掺Fe半型材料 300nm 在InP衬底上生长InAlAs/InGaAs等异质结构 InP衬底上InAlAs薄膜 InP衬底上生长InAlAs薄膜 InAlAs-InGaAs-InP InP上镀InGaAs薄膜 半型材料 GaAs InGaP薄膜 GaAs衬底InGaP薄膜 金属衬底InGaP/GaAs双结薄膜 InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜 InGaP/GaAs微结构材料 GaAs衬底成功制备了InGaP外延薄膜 InGaP/GaAs异质结 ITO+ZnO钠钙玻璃 ITO/ZnO复合材料 纳米ZnO/ITO导电玻璃复合材料 ITO= 100nm，ZnO= 50nm ITO导电玻璃衬底上沉积出透明致密ZnO薄膜 La0.7Sr0.3MnO3 + Pb0.19Zr0.2Ti0.8O3复合材料 La0.7Sr0.3MnO3 + PbZr(x)Ti(1-x)O3复合材料 SrMoO4薄膜 SrMoO4薄膜（400nm）光致发光薄膜 SiO2+Pt 薄膜 SiO2∶Pt薄膜 二氧化硅/铂复合薄膜SiO2/Pt 二氧化硅负载铂复合薄膜催化材料 Si+SiO2+Ti+Pt薄膜 Pt/Ti/SiO2/Si基片镀PZT膜 Pt/Ti/SiO2/Si衬底的宽波段薄膜 Pt/Ti/Si3N4/SiO2/Si基底的多层薄膜 钙钛矿型稀土复合氧化物LaFeO3膜 钙钛矿型铁酸镧LaFeO3薄膜 Ni衬底上的LaFeO3薄膜 LaFeO3纳米晶薄膜 LaNiO3导电薄膜 Si基底LaNiO3导电薄膜10x10x0.5mm Si基LaNiO3导电薄膜 Si/LaNiO3 以上资料来西安齐岳生物小编zhn2020.12.14，以上资料来自文献 ? 相关目录： ZnO-离子液体功能化的石墨烯量子点的定 Si衬底上Ge薄膜的制备过程（低温-高温

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